Oxford 反应离子刻蚀机

反应离子刻蚀RIE是一种各向异性强、选择性高的干法刻蚀技术。牛津PlasmaPro 80反应离子刻蚀机具备结构紧凑且使用方便的直开式系统。它通过优化的控温控压技术来实现高质量的工艺，可以出色的控制晶圆温度、均匀性和刻蚀速率。

性能指标：

• RF射频电源功率300W

• 极限真空度 ≤3E-4Pa

• 刻蚀均匀性 ≤±5%

典型应用

• 工艺气体：SF_6、CHF₃、CF₄和O₂

• 可用于对半导体及氧化物、二维薄膜材料等的刻蚀

样品要求

• 最大晶片尺寸：4英寸

设备负责人：徐元星 15715149696